Penjesan I/O dalam bentuk PP silahkan shere di alamat di bawah ini....
http://www.slideshare.net/hajyer/penjelasan-io
Tinggal kan komentar anda....
...sekian.....!!!....
Kamis, 16 Mei 2013
Rabu, 15 Mei 2013
Senin, 22 April 2013
Dioda Rectifier
Dioda Rectifier
Pengertian dan cara kerja dioda rectifier.
Dioda rectifier adalah dioda penyearah yaitu dioda yang berfungsi untuk
mengubah arus bolak balik atau Alternating Current (AC) ke arus searah
atau Direct Current (DC). dioda ini biasa digunakan pada rangkaian catu
daya DC, dan dapat kita temui hampir disetiap perangkat elektronik.
Cara kerja dioda rectifier :
1. Forward Bias ( Bias Maju )
forward bias adalah suatu keadaan dimana anoda diberi muatan positif (+)
dan katoda mendapat tegangan negatif (-) maka akan ada arus yang
mengalir atau arus dapat mengalir melalui dioda.
2. Reverse Bias ( Bias Mundur )
Reverse Bias adalah suatu keadaan dimana anoda mendapat tegangan negatif
(-) sementara dioda mendapat tegangan positif (+), maka tidak akan ada
arus yang mengalir melalui dioda rectifier tersebut.
NPN DAN PNP
A.Perbedaan
transistor NPN dan PNP
Transistor adalah salah komponen elektronik yang berperan penting dalam perkembangan teknologi, tanpa transistor komputer tidak mungkin diciptakan, dan tanpa transistor pula mungkin radio masih sebesar meja.
Transistor memiliki 3
buah kaki atau pin yaitu: Collector (C), Emitter (E) dan Basis (B). Posisi
kaki-kaki ini berbeda antara transistor satu dengan yang lain walaupun ada juga
yang sama.
Transistor secara umum
dibagi menjadi 2 macam yaitu PNP dan NPN
Prinsip kerja dari transistor NPN adalah: arus akan mengalir dari kolektor ke
emitor jika basisnya dihubungkan ke ground (negatif). Arus yang mengalir dari
basis harus lebih kecil daripada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor,
oleh sebab itu maka ada baiknya jika pada pin basis dipasang sebuah resistor.
Ø Tansistor PNP
Prinsip kerja dari transistor PNP adalah arus akan mengalir dari emitter menuju ke kolektor jika pada pin basis dihubungkan ke sumber tegangan ( diberi logika 1). Arus yang mengalir ke basis harus lebih kecil daripada arus yang mengalir dari emitor ke kolektor, oleh sebab itu maka ada baiknya jika pada pin basis dipasang sebuah resistor.
Transistor memiliki kode-kode untuk setiap jenisnya. Kode standart transistor dapat dilihat dibawah ini:
1. 2SAXXXX menunjukkan transistor jenis PNP bertipe frekuensi tinggi.
2. 2SBXXXX menunjukkan transistor jenis PNP bertipe frekuensi rendah.
3. 2SCXXXX menunjukkan transistor jenis NPN bertipe frekuensi tinggi.
4. 2SDXXXX menunjukkan transistor jenis NPN bertipe frekuensi rendah
B. Berikan contoh dan penggunaan dari transitor jenis BJT dan FET
1.BJT
(Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis
transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang
terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal.
Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat
menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal
kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai
penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada
basis biasanya dilambangkan dengan β atau . β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
2.FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah diode
dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara
fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state
dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode.
Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode",
keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan
arus listrik dibawah kontrol tegangan input.
FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode.
Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source
saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai
contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan
source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk
kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di
antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET,
polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe
enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.
prinsip kerja Dioda Zener
prinsip kerja Dioda Zener
Prinsip kerja Dioda Zener
Menyambung dari artikel prinsip kerja dioda sebelumnya, artikel ini menjelaskan tentang perancangan dan perhitungan
diode zener pada aplikasi elektronika. Perlu dipahami bahwa diode biasa
bila diberi tegangan dengan bias mundur tidak akan menghantar kecuali
melebihi tegangan breakdown sehingga mempunyai resiko kelebihan arus
dan bisa terbakar. Sebuah diode Zener memiliki sifat yang hampir
sama dengan diode biasa, kecuali bahwa alat ini sengaja dibuat dengan
tegangan tembus yang jauh dikurangi. Sebuah diode Zener memiliki p-n
junction yang memiliki doping berat, yang memungkinkan elektron untuk
tembus dari depletion layer tipe-p ke dalam pita konduksi material
tipe-n. Sebuah diode Zener yang dicatu-balik akan menunjukan perilaku
tegangan tembus yang terkontrol dan akan melewatkan arus listrik untuk
menjaga tegangan jatuh supaya tetap pada tegangan Zener. Sebagai contoh,
sebuah diode Zener 3.2 Volt akan menunjukan tegangan jatuh pada 3.2
Volt jika diberi catu-balik. Namun, karena arusnya terbatasi, sehingga
diode Zener biasanya digunakan untuk membangkitkan tegangan referensi,
untuk menstabilisasi tegangan aplikasi-aplikasi arus kecil, untuk
melewatkan arus besar diperlukan rangkaian pendukung IC atau beberapa
transistor sebagai output.
Sebelum merancang sebuah regulator
tegangan menggunakan diode zener, saya mengharap pembaca flash back ke
belakang dan memahami betul hukum kirchoff (pembagian arus) dan hukum
ohm. Karena hukum listrik inilah yang menjadi dasar kita dalam
perancangan elektronika.
Jenis dan analisa rangkaian:
1. Regulator Shunt
Jika tegangan VS>VZ akan menghantar dan Vout akan dipaksa sesuai dengan tegangan breakdownnya (VZ). Dengan demikian Vout
akan konstan sesuai dengan VZ, dengan kata lain diode zener akan
meregulasi tegangan output (Vout) meskipun VS naik. Perhatikal lebih
detail pada kurva karakteristik tegangan breakdown.
2. Kondisi Berbeban
Pada rangkaian ini, diode zener
digunakan oleh sebuah beban sehingga arus sumber (Is) akan dibagi
menjadi arus zener (Iz) dan arus beban (IL).
Syarat tercapainya tegangan regulasi adalah Iz>0
dan ini akan terjadi jika Is>IL
atau Vs>(Iz+IL.R)
3. Tegangan Pembagi (thevenin)
Thevenin adalah teori pembagi tegangan
antar resistor tanpa menggunakan diode zener. Besar tegangan thevenin
pada RL (VTH) adalah:
Selama VTH<Vz maka Iz=0 sehingga tidak terjadi regulasi tegangan pada rangkaian ini.
Begitupun sebaliknya, terjadi regulasi tegangan jika VTH>Vz sehingga Iz>0.
4. Dropout Point
Jika Vs turun atau IL naik maka Iz bisa menjadi nol, hal ini mengakibatkan diode zener tidak bisa meregulasi tegangan.
5. Disipasi Daya
Merupakan daya yang hilang akibat adanya
tegangan jatuh dan arus yang mengalir, semakin besar tegangan jatuh dan
arrus yang melewati maka semakin besar pula disipasi daya. disipasi
daya ini dirubah menjadi panas.
Daya yang diserap zener: Pz=Vz.Iz
Daya yang diserap Rs: Prs=Is.(Vs-Vz)
Daya yang diserap beban: PRL=IL.Vout
Karena Vout=Vz maka PRL=IL.Vz
Perlu diingat kembali, daya ini diubah
menjadi panas, jika panasnya berlebih bisa menyebabkan komponen rusak.
Jadi sebelum perancangan silahkan lihat datasheet terlebih dahulu.
Hubungan Seri Diode Zener
Untuk mendapatkan tegangan lebih besar, diode zener bisa dihubungkan secara seri sehingga:
Vtotal=Vz1+Vz2+.......Vzn
Selain bertambahnya tegangan, daya zener juga bertambah, yaitu:
Ptotal=Pz1+Pz2+.......Pzn
BJT DAN FET
BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau h_{FE}. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
FET
FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.
FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.
BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau h_{FE}. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
FET
FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.
FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.
Langganan:
Postingan (Atom)